LED芯片研制不斷向高效高亮度方向發(fā)展。傳統的芯片切割方式如金剛刀劃片，砂輪刀鋸切因其效率低，成品率不高已逐漸落伍，不能滿(mǎn)足現代化生產(chǎn)的需要，目前激光切割方式正逐漸取代傳統切割，成為目前主流切割方式。
激光切割又分為表層切割和內部切割，即隱形切割。它采用一定波長(cháng)的激光聚焦在晶片表面或內部，在極短時(shí)間內釋放大量的熱量，使材料熔化甚至氣化，配合激光頭的移動(dòng)或物件的移動(dòng)，形成切割痕跡，實(shí)現切割的目的。表層切割后，激光產(chǎn)生的高能量瞬間破壞了藍寶石的晶格結構，側面激光灼燒痕跡阻擋了 LED芯片的出光，對芯片外量子效率影響較大。
藍寶石襯底LED芯片激光切對LED芯片晶圓沿裂痕方向施以外力，使芯片分隔成獨立的發(fā)光單元。本發(fā)明對于藍寶石襯底較厚晶圓的切割，能有效提升其切割成品率，并減少了藍寶石斜裂現象。
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